ROHM丨为什么在SiC和GaN功率器件时代,IGBT依然重要?
  尽管宽禁带技术正在崛起,但传统的功率电子器件仍在持续进化并被广泛应用。凭借其出色的性价比、稳定的供应以及经过实际验证的可靠性,在小型化和轻量化无法带来较大附加值的应用场景中,一直是非常实用的选项。  碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件在高效率、高温及小型化应用中性能表现优异,氧化镓(Ga₂O₃)和金刚石等材料研发也取得了显著进展。尽管已经取得了很多进步,不过还有许多系统仍需持续依赖硅功率电子技术,特别是绝缘栅双极晶体管(IGBT)。  本文将阐述IGBT持续获得广泛采用的原因。将从成本与供应考量、既有可靠性数据的价值、以及宽禁带半导体优势在系统层面仅能提供有限益处的应用场景种类等方面进行探讨。另外还会简要介绍在IGBT性能的持续改进和扩展。  高性价比和供应稳定性备受好评  如今,功率元器件所受到的关注度已达到前所未有的高度。主要原因在于SiC和GaN功率器件等新一代功率器件的问世。另外,关于Ga₂O₃和金刚石功率器件等新一代功率器件的研发不断取得进展,其实用化前景备受期待,这也进一步助推了市场关注度的提升。  然而,下一代及下下代功率器件的面世,并不意味着电子设备设计工程师会全面采用这些产品。他们只是合理地选择能够将目标应用产品的价值最大化的功率器件。如果判断现有硅(Si)功率器件能使应用产品的价值最大化,那么他们将会继续采用Si功率MOSFET和IGBT。  实际上,基于这一判断而选择继续使用IGBT的应用场景并不少见。半导体领域全球知名制造商ROHM表示,“不仅在日本,海外市场对IGBT的关注度也在迅速提高”。这种关注度快速上升的原因在于,2021年以来工业设备、电机驱动系统、电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及光伏逆变器等领域对IGBT需求量的持续扩大。ROHM的报告中显示,这些应用领域的制造商咨询量显著增加,产品销量正保持稳步上升态势。  半导体分析师Grossberg・大山聪先生也持相同观点:“SiC功率MOSFET和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)市场未来将持续扩大,但IGBT市场规模不会萎缩。”预计IGBT市场在2025年后仍将保持约10%的年均复合增长率(CAGR),呈较快增长趋势。  最合适的功率器件选型并非仅由电气特性决定  那么,电子设计工程师在应用产品中采用IGBT时最重视的特性是什么?  在电气特性方面,竞品SiC功率MOSFET和GaN HEMT器件在很多方面的表现会优于IGBT(表1和表2)。具体而言,比如导通损耗和开关损耗的降低、高速工作能力(实现高开关频率)、高温工作能力等优势。  因此,将这些优势运用到应用产品中可带来诸多好处:延长电池续航时间、降低电池容量要求、实现更小型轻量的电路、减少发热量等。这些优势在移动应用领域的价值尤为显著。最终,SiC功率MOSFET和GaN HEMT器件主要在电动汽车牵引逆变器和DC-DC转换器等应用领域得以快速普及。  表1:单位面积导通电阻的变化趋势  低电压:Si MOSFET更合适。速度快且损耗低。  中等电压:SiC MOSFET更合适。高频条件下仍保持低损耗,面积效率优。  高电压额定:IGBT更具优势。相比SiC,导通电阻更低,芯片面积效率更高。  表2:IGBT与SiC功率MOSFET的性能比较  但是,从另一角度来看,在难以实现这些优势的应用场景中,采用SiC功率MOSFET或GaN HEMT器件并不具备决定性理由。具体而言,是这类应用场景并不以小型化和轻量化为首要考量因素。  具有代表性的示例包括工业设备和电机驱动系统。在这些应用中,即使通过采用SiC功率MOSFET或GaN HEMT实现了小型化和轻量化,也不能转化为足以显著提高销售额的附加值。因此,设计者通常不会为采用SiC功率MOSFET或GaN HEMT带来的成本增加买单。换言之,电子设备设计工程师会基于出色的性价比优势而选择IGBT。  除此之外,还存在仅凭电气性能无法定义的“采用IGBT的理由”。例如,与SiC功率MOSFET和GaN HEMT相比,IGBT的供应稳定性明显更高。此外,IGBT自实现实用应用以来已历经约40年,拥有丰富的可靠性数据及长期应用所积累的实践经验。  在实际的电子设备设计中,电力器件的选型不仅需要考量电气特性,更需要综合评估上述各种要素。因此,即使新电力电子器件不断涌现,在特定应用场景中IGBT仍被持续采用。  IGBT技术的持续演进  此外,IGBT绝非过时的功率器件,而是一直到进步。也就是说,其性能提升仍有充分的空间。  IGBT的性能通过元器件层面和工艺层面的双重改进,已得到显著提升。例如,采用“非穿通”和“场截止”等新器件结构、硅晶圆减薄、以及沟槽栅微缩(间距缩小)等方面的改进。最终,IGBT实现了集电极-发射极饱和电压(VCE(Sat)[1.1])降低、电流容量增加、开关频率提高(开关损耗减少)以及短路耐受能力增强。  然而,在硅晶圆减薄和沟槽栅间距微缩方面,仍存在改善余地。ROHM开发部部长石松祐司表示:“IGBT的性能提升仍存在潜在空间。2026年以后推出的产品,其器件结构本身很可能会迎来重大变革。我们会逐步将这些技术发展融入到产品中。”  未来,在保持“较低成本”、“高可靠性”和“高实用性”等优势的同时,性能得到进一步提升的IGBT产品被投入市场的可能性很大。  在内置多个IGBT的功率模块领域,仍有望实现进一步技术突破。目前,ROHM已推出的功率模块“TRCDRIVE packTM”,具有高电流密度和出色的散热特性[2.1](图1)。目前所采用的功率器件,是ROHM第4代SiC功率MOSFET。  图1 功率模块 TRCDRIVE packTM:虽尺寸小巧,却通过单面散热设计实现与竞品同等散热性能的封装型功率模块。目前供应的是内置2枚ROHM第4代SiC功率MOSFET的二合一型模块。  本功率模块具有两大特点:第一,通过优化内部布局,将电感降至更低,从而降低了开关损耗;第二,虽采用单面散热设计,仍以小巧尺寸实现了与竞品同等的散热性能。  在安装方法上,采用了银(Ag)烧结技术,通过高温高压将模块内部芯片(功率器件)与引线框架进行接合。这既提高了接合可靠性,又提高了功率密度。  ROHM计划在不久的将来将这项技术也应用于IGBT。  此外,在模块与外部散热器的接合部位,ROHM与 Arieca 公司联合研发出采用了液态金属填充弹性体(LMEE)的低温接合技术。该技术不仅实现了与银烧结接合技术同等的热阻,还可在更低温度和压力条件下完成接合。这在提高散热效率的同时,更大程度地提升了模块的电气性能。  图2:液态金属填充弹性体(LMEE)是美国Arieca公司推出的热界面材料。具有低热阻特性,应用于功率模块可提升其散热性能。  电力电子技术演进中的可靠选项  宽禁带器件为电源设计者提供了更多的选择,同时,IGBT凭借其出色的可靠性和成本效益优势,依然是众多系统的优选方案。其成熟的供应链、稳定的可靠性以及持续的技术改进,即使是在SiC和GaN的优势仅能提供有限的附加值的应用场景中,IGBT依然保持着作为实用解决方案的地位。
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发布时间:2026-08-25 14:59 阅读量:167 继续阅读>>
纳芯微出席2026APEC汽车对话会议,分享汽车AK2超声雷达传感器<span style='color:red'>IC</span>技术趋势
  2026年8月19日至21日,亚太经合组织(APEC)汽车对话第44次会议(AD44)于大连举行,来自多个成员经济体的政府部门、行业协会及企业代表围绕亚太汽车市场趋势、供应链韧性、氢能汽车产业及先进车辆技术等议题展开交流。  作为汽车芯片代表厂商,纳芯微受邀参与此次会议,公司信号链产品线技术市场负责人王良藩先生在会上分享了AK2超声波雷达芯片的技术趋势与实践方案,共探汽车智能化感知技术的挑战与机遇。  从AK1到AK2:超声波雷达进入数字架构阶段  超声波雷达正从模拟架构向数字架构演进。与传统AK1模拟架构相比,AK2采用数字编码调制与回波信号处理,在探测距离、测量精度及抗干扰能力上有所提升;接口从点对点升级为多传感器共享总线,支持多传感器协同工作。目前,AK2超声波雷达已应用于超声波泊车辅助(UPA)、自动泊车辅助(APA)、自主代客泊车(AVP)等场景。  从测距到多维感知:超声波传感的演进方向  功能更广泛:感知维度从1D/2D测距向3D/4D演进,同时向低速AEB触发、障碍物类型检测、路面分类、微碰撞检测等场景延伸,在与毫米波雷达、UWB、摄像头共存的格局下保持其短距优势;  刷新率更快:保险杠级传感周期压缩到100毫秒以内,支持更早的障碍物检测与更高效的AVP运行,对IC的多发多收协同与抗干扰能力提出更高要求;  性能提升:目标分类(车辆、行人、路沿)、路面识别(铺装路、碎石、草地)、传感器污染检测(水、泥、冰、雪)及近场盲区缩减,要求传感器IC具备原始数据上传能力,支持各级原始数据上传;  成本更优化:成本评估从单模块延伸向系统级,通过去MCU化、DSI3二线制(电源与通信同线)、直驱架构(省去外部变压器)等方案降低BOM与线束成本。  多发多收与灵活编码:压缩传感周期  针对刷新率提升需求,纳芯微通过任意频率模式发生器(AFG)支持固定频、线性/非线性频率编码、FSK+chirp组合编码等多种波形;支持多发多收提升抗干扰能力,保险杠扫描可在2个扫描周期内完成。  原始数据上传与全量程优化:扩展感知边界  在性能层面,纳芯微提供可配置的原始数据上传链路,支持1–16倍抽取、MCU侧压缩后经DSI3上传,可选择ADC原始数据(2ms窗口)、混频后I/Q数据、事件前后包络数据等节点;通过时变LNA(TVLNA)自动增益切换抑制近场饱和,探测范围覆盖约10cm至6.5m。  DSI3标准协议:实现跨品牌互操作  在系统集成层面,纳芯微采用基于标准DSI3协议的跨品牌互操作性设计,支持纳芯微芯与其他行业标准DSI3芯片组合,拓扑支持点对点、并行及菊花链。产品方面,NSUC1800支持厂商定义CRM命令,NSUC1802提供每通道2KB DSI3缓冲区,在功能扩展与数据访问灵活性上各有侧重。  关于亚太经合组织(APEC)汽车对话  亚太经合组织(APEC)汽车对话设计于1998年,旨在为各经济体政府主管部门与汽车产业界搭建常态化沟通平台,围绕发展战略、标准法规、技术创新等方面开展交流合作。本届AD44设置了亚太汽车市场趋势、供应链韧性、氢能汽车产业发展、先进车辆技术面临的机遇与挑战等议题。
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发布时间:2026-08-24 13:05 阅读量:183 继续阅读>>
GigaDevice inside!世界人形机器人运动会首批决赛机器人的硬核底座
  第二届世界人形机器人运动会于北京国家速滑馆 “冰丝带” 火热开赛。来自六大洲各个国家的上百支机器人队伍同台比拼,几十个竞赛项目、超千场比赛轮番上演。今日首批赛事决赛结果正式出炉,田径400米赛项已决出冠军,恭喜天工Ultra以38.15 秒的成绩夺冠!  决赛的多个机器人运动控制系统均搭载 GD32高性能MCU,其中多关节协同与高频伺服控制依托 GD32H7 实现,感知链路多采用 GD32F5,以国产芯片能力托举赛场竞技表现。  本届赛事包含百米冲刺、跳高、街舞、足球对抗等高动态竞技项目,对机器人环境感知、多肢体协同、瞬时动作执行提出严苛考验。AI 大模型赋予机器人上层智慧决策,而 MCU 则是算法落地为实体动作的关键硬件底座。 已经决出结果的赛场上,冠军机器人需要在ms级以内完成三个关键环路的计算即:环境感知采集,跨单元信号交互,高频伺服关节的控制。只有这三个控制环路做到极致,机器人才能拥有极致的反应能力,才能稳定完成高速奔跑、急停变向等高强度动作。GD32F5 承担多维环境传感信号采集解析,为整机姿态闭环提供可靠数据输入;GD32H7 凭借高速总线能力与强劲运算实力,保障整机高控制频率和多关节同步联动,同时在关节端完成高频伺服运算,将智能指令转化成稳定精准的机械运动。  人形机器人竞技比拼,核心集中在两大维度:高速动态运动性能,以及真实场景下的 AI 泛化作业能力。针对人形机器人运动系统的三大控制环路,GD32 MCU 实现能力覆盖:  高精度环境感知:GD32F5 搭载 Cortex®-M33 内核,最高主频达 280MHz。芯片内置 12bit SAR ADC,采样率高达 3Msps,同时支持硬件过采样,可高效完成传感器信号采集与预处理,助力机器人实时捕捉赛场环境的动态变化。  低时延多轴协同通信:GD32H7 搭载倍福官方授权 EtherCAT® IP,配合 GD32H7 系列专属总线优化,DC 同步周期可达 62.5μs,实现 16kHz 通信频率。这套硬件总线方案有效降低通信时延,保障整机多关节高效同步,进一步提升机器人整机运动协同性能。  高频伺服动作落地:GD32H7 采用 Cortex®-M7 内核,最高主频 600MHz。依托强大的运算性能,芯片集成 TMU 三角函数运算加速器与编码器硬件处理单元,可将电流环处理时间压缩至 2μs 以内,快速响应上层主控下发的控制指令,有效增强机器人整机动态响应能力。  赛事仍在持续推进,更多赛项的冠军将陆续诞生。赛场上机器人一次次刷新竞技成绩的背后,离不开底层芯片的稳定输出。从感知、通信到运算执行,兆易创新持续为人形机器人从 “能跑能跳” 走向 “能赛能用” 筑牢硬核硬件底座,助力具身智能技术加速走向真实应用场景。
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发布时间:2026-08-24 11:18 阅读量:187 继续阅读>>
上海永铭丨800V SiC主驱逆变器DC-Link电容选型:如何告别电解电容的寿命焦虑与电压浪涌?
  各位工程师朋友,当你们在开发800V高压电驱平台时,是否遇到过这样的困扰:台架测试中母线电压尖峰异常偏高,SiC MOSFET模块偶发击穿;或者系统效率始终差一口气,热管理方案改了又改却收效甚微?这些问题的根源,往往指向DC-Link环节那颗看似不起眼的电容。  一、主驱逆变器的“高频之痛”  在800V高压电驱平台中,主驱逆变器是整车的动力心脏。随着SiC MOSFET的普及,开关频率已普遍提升至40kHz甚至更高。但传统铝电解电容的物理特性,使其在高频工况下捉襟见肘。  铝电解电容(450V等级,需多只串联)的典型局限包括:  ESR偏高:单颗@20kHz约80mΩ,多颗并联后总ESR降低有限;  谐振频率低:典型值仅约4kHz,远低于SiC的40kHz开关频率;  寿命短板:85℃下预期寿命仅2000~6000小时,受电解液挥发影响严重;  耐压不足:单颗无法覆盖800V,需多只串联并附加均压电路。  这意味着,在40kHz开关频率下,铝电解电容已呈现感性阻抗,无法有效吸收高频纹波电流,母线电压振荡剧烈。功率器件承受的电压应力增大,系统效率下降,可靠性大打折扣。  二、根因分析:材料决定的“先天局限”  铝电解电容的局限源于其结构与材料。内部的电解液在高温、高频纹波电流的持续冲击下逐渐干涸,导致容量衰减、ESR倍增,形成“发热→性能下降→更发热”的热失效恶性循环。而较低的谐振频率则限制了其对高频纹波的有效吸收,电压尖峰由此而生。  这并非制造工艺问题,而是器件物理结构的固有特性。在高频、高压、高温的三重考验下,铝电解电容已逼近其性能天花板。  三、永铭MDP系列薄膜电容的核心优势  直面这一行业痛点,永铭电子推出MDP系列金属化聚丙烯薄膜电容,为主驱逆变器DC-Link提供根本性解决方案。  核心优势如下:  四、数据说话:参数对比与验证  五、应用案例:量产验证的成效  某800V电驱平台项目,在主驱逆变器DC-Link电路中采用永铭MDP系列薄膜电容替代传统铝电解方案后,实测结果:  l PCB面积减少50%以上——单颗薄膜电容的紧凑设计及无需均压电路,显著释放布局空间;  l 母线电压尖峰幅值显著降低——低ESR与高谐振频率有效吸收高频纹波,抑制电压振荡;  l 系统效率获得有效提升——导通损耗与开关损耗的双重降低,带来效率提升。  这一案例充分验证了薄膜电容替代方案在工程上的可行性与显著收益。  六、选型建议  MDP系列适用于主驱逆变器DC-Link、OBC的PFC/DC-Link/LLC谐振电路。推荐型号如下:  注:MDP系列电压覆盖500V~1500V,容值最高可达500μF,工作温度-40℃~105℃,有限时间内可在150℃下工作。  七、场景化Q&A(工程师最关心的三个问题)  Q1:在800V系统中,为什么不能简单地将多个450V铝电解电容串联使用?  A: 串联确实能提升耐压,但会带来均压难题。由于电容个体差异,每颗电容的分压不均,需要增加均压电阻和稳压管等外围电路,这不仅增加了BOM成本和PCB面积,还引入了额外的故障点。更重要的是,串联后总ESR为各颗ESR之和(并联可降低,但数量有限),总谐振频率也会进一步偏移,无法从根本上改善高频特性。MDP系列单颗即可覆盖800V~1000V,无需串联,ESR和频率优势得天独厚。  Q2:MDP薄膜电容的dv/dt耐受能力如何?能扛住SiC的快速开关吗?  A: 可以。MDP系列采用特殊边缘加厚金属化膜和优化的喷金工艺,具备极高的dv/dt耐受能力,典型值可达10,000 V/μs以上。SiC MOSFET的开关速度虽快,但MDP的设计余量充分覆盖了实际工况中的电压变化率,确保长期可靠性,这也是其通过AEC-Q200认证的重要支撑之一。  Q3:薄膜电容比铝电解贵,全生命周期算账真的划算吗?  A: 单颗差价虽存在,但需算总账:①省去多颗串联所需的均压电阻、稳压管等外围元件成本;②PCB面积减少50%以上,壳体结构件成本降低;③特定工况下,系统峰值效率提升约1.5%,长期运行节省电费;④整车全生命周期无需更换电容,大幅节省售后零件费与工时费,避免因电容失效导致的品牌信誉风险。初期差价可在2~3年内通过上述综合收益对冲,对于质保期长的车企而言效益更为显著。  结语  DC-Link电容虽小,却是电驱系统稳定运行的“心脏”。当前国内电控装机薄膜电容渗透率已达88.7%,用薄膜电容替代铝电解电容已是行业明确趋势。永铭MDP系列以低ESR、高谐振频率和长寿命的参数组合,为800V SiC主驱逆变器提供经过量产验证的可靠方案。  获取规格书·申请样品·技术咨询:访问永铭官网产品中心,或联系应用工程师团队获取一对一选型支持。  官网:www.ymin.com  公众号:上海永铭电容器  产品热线:400-900-1922  有困难,找永铭——我们不仅是产品的供应商,更是您值得信赖的技术伙伴。
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发布时间:2026-08-17 14:09 阅读量:259 继续阅读>>
纳芯微丨高密度AI服务器电源:HVDC隔离、SiC/GaN驱动、高带宽采样与400MHz实时控制
  文章导读  高密度服务器电源设计:高压、高频、高功率密度和多相控制,带来哪些新的芯片设计要求;  隔离+:800V高压架构下的耐压、CMTI、传输延时与集成设计;  驱动:SiC/GaN高频开关对驱动电流、抗扰能力和延时匹配的要求;  采样:高密度电源中的带宽、量程、精度与小型化设计;  实时控制:多相电源对MCU运算性能、PWM和ADC资源的要求。  五大落地路径  电源设计应对高密度设计需求  AI服务器功率和功率密度不断提升,对电源的通流能力、转换效率和散热带来更大挑战,设计主要从以下五个方向进行优化:  大功率回路硬件扩容  一方面选用大规格功率半导体器件,或采用多器件并联提升回路通流能力;另一方面采用多相交错电源架构,通过多个功率子模块协同工作,针对重载、轻载等不同工况优化电源转换效率,是当前大功率PSU的主流设计思路。  系统架构高压化(HVDC高压直流)  800V高压母线方案大范围普及,通过提升系统额定电压降低回路传输电流,减少线缆、铜排的传导损耗,同时缩减母线铜材占用空间,从系统层面提升整机功率密度。  开关电源高频化  利用SiC、GaN等宽禁带功率器件的高频特性,提高电源开关频率,缩小变压器、电感、电容等无源器件体积,是提升电源功率密度的重要技术路径。  软开关拓扑+开关速率优化  通过提高开关速度或采用软开关技术降低功率器件的开通和关断损耗,并通过降低损耗减小散热器尺寸,进一步节省PCB板卡空间。  液冷散热+高密度PCB布局  采用浸没式、冷板式液冷等方案提升散热能力;同时结合元器件小型化和高密度PCB布局,提高机箱内部空间利用率。  以上五项优化主要集中在功率主回路,高压、高频和高密度设计也会影响控制回路,对隔离、驱动、采样和实时控制芯片的性能与集成度提出更高要求。  四类芯片设计挑战  高压、高密度带来更高性能要求  隔离类IC  高压安规、抗扰能力与集成化设计要求  高压化是AI电源的重要趋势,隔离芯片作为高低压电气隔离的关键界面,承担系统安规防护作用,在800V及更高电压系统中,主要面临四方面技术要求:  满足安规隔离耐压要求,保障系统用电安全;  高频开关带来节点电位快速跳变,芯片需要较高的CMTI共模瞬态抗扰度,降低高压瞬态干扰造成通信失效、系统误动作的风险;  随着开关频率提升,控制环路响应加快,隔离芯片需要更低的信号传输延时,保障主控与功率侧信号同步;  800V系统对器件爬电距离和封装提出更高要求,分立器件方案会占用更多PCB面积,多功能集成化隔离芯片有助于降低板级空间占用。  针对上述需求,纳芯微采用第三代电容隔离架构,并结合Adaptive OOK自主调制技术。相关产品可支持1500Vrms、2121VDC工作条件,设计使用寿命超30年;典型CMTI共模瞬态抗扰度>150kV/μs,实验室测试可达200kV/μs以上;最高通信速率150Mbps,信号传输延时可控制在15ns以内,满足高速控制链路需求。  基于自研隔离技术,纳芯微形成了丰富的隔离产品矩阵,覆盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离栅极驱动等产品,并推出二合一、三合一等集成化产品,如隔离电源+隔离接口二合一芯片、隔离电源+隔离驱动+隔离采样三合一芯片,可通过单颗器件集成多项功能,减少外围器件数量和电路复杂度。  纳芯微隔离产品覆盖不同隔离等级和爬电距离需求,基于在光储1500V高压应用中的技术积累,相关产品可适配800V HVDC数据中心高压母线,并面向更高电压等级的应用需求进行产品布局。爬电距离规格覆盖2mm、8mm、15mm等,其中2mm器件适用于低压小型电源的功能绝缘需求,8mm、15mm器件可满足高压系统的加强绝缘需求,适配不同功率等级PSU的选型。  驱动类IC  大电流、高抗扰、集成负压,适配新一代功率器件  随着SiC、GaN等宽禁带功率器件的应用,隔离驱动芯片面临三方面更高要求:  大功率器件通常具有更大的结电容,同时电源开关速度不断提升,驱动芯片需要在更短时间内完成功率器件结电容的充放电,因此需要更强的拉灌电流能力;  驱动异常可能导致功率器件失效,因此对驱动IC的CMTI共模瞬态抗扰能力提出更高要求;  高开关频率下死区时间缩短,对驱动通道的延时一致性提出更高要求,同时也推动驱动芯片向更高集成度发展。  纳芯微针对数据中心高密度电源的驱动产品主要包括高性能隔离驱动和GaN专用驱动两类,可适配不同功率器件的驱动需求:  高性能隔离驱动:产品按输入类型分为光耦兼容电流输入、TTL/CMOS电压输入两大系列;功能覆盖UVLO欠压保护、米勒钳位、DESAT退饱和保护、软关断、故障报警等,部分型号进一步集成隔离ADC及功能安全相关电路。相关产品输出拉灌电流可达±10A,可适配800V架构下大功率SiC器件的驱动需求。  GaN专用隔离驱动芯片:GaN器件导通阈值较低、开关速度快,对误导通抑制提出更高要求。传统方案通常通过外部分立电路实现负压关断,占用一定板级空间。纳芯微GaN驱动芯片集成负压生成电路,可直接实现负压关断,减少外围辅助供电器件和PCB面积占用;产品覆盖高压GaN、低压GaN及不同输出电流规格,为不同应用提供相应选型。  纳芯微驱动方案覆盖AI服务器电源前级SST、整流模块、BBU/CBU储能单元、二次/三次侧DCX变换器、板载千瓦级IBC电源及多相交错Buck电源等环节,并支持单向高压GaN、单向低压GaN、双向GaN及不同规格SiC器件。  采样与信号处理IC  多方案分层落地适配AI服务器电源采样需求  AI服务器电源控制环路速度提高、电磁环境更加复杂,对采样器件的带宽、CMTI共模瞬态抗扰能力和量程提出了更高要求。电流采样常见方案包括集成霍尔、采样电阻+隔离运放、开环电流传感器和CT电流互感器等,不同方案在体积、精度、带宽及磁滞等方面各有特点,需要根据具体应用选择。  功率密度优先的设计中,集成霍尔电流传感器通过集成基准、OCP过流保护等功能,减少外围调理电路;对采样精度要求更高的场景,则采用采样电阻+隔离运放架构。纳芯微产品覆盖这两类技术路线。  以霍尔电流传感器为例,纳芯微针对不同电压、电流等级布局了多款产品:  800V高压AIDC应用:耐压1550V、50A量程、8mm爬电距离、2MHz带宽;  54V/12V低压电源:4×4mm小型封装、100A量程;  大功率SST等高电流应用:200A以上大量程线性霍尔产品  实时控制专用MCU  高主频、多通道,满足电源实时控制需求  电源实时控制MCU是数字控制与功率硬件之间的重要桥梁。多相交错拓扑带来多路PWM同步输出需求,叠加开关频率提升,对MCU的实时运算能力、采样通道数量及控制精度提出了更高要求。  纳芯微电力电子专用MCU覆盖200MHz~400MHz Cortex-M7单核/多核架构,针对电源应用优化运算性能、片上存储、PWM及工业通信接口等资源配置,适配不同功率等级的服务器电源:  7系列实时控制MCU:双400MHz Cortex-M7内核,搭载32路HRPWM、40路模拟采样通道,可用于大功率SST、HVDC AC-DC PSU等实时控制场景;  5系列实时控制MCU:240MHz单核Cortex-M7,配置16路PWM输出,可用于PSU、DC-DC电源等应用;  1系列实时控制MCU:200MHz单核Cortex-M7,适用于板载IBC、Buck等电源控制场景。  面向AI数据中心电源高压、高频、高功率密度的发展趋势,纳芯微已形成隔离、驱动、信号采样和实时控制MCU等核心产品组合。  以整机PSU为例,除上述四类产品外,还包括NTC温度传感器、高精度电压基准源、反激控制芯片、低压LDO、热插拔保护控制器等器件,满足温度监测、电压基准、辅助供电及系统保护等功能需求。  同时,纳芯微可结合客户具体的系统设计需求提供芯片选型与应用支持,根据整机尺寸、额定功率、母线电压、散热架构等参数,协助进行器件选型和方案优化,为AI服务器电源不同架构和功率等级提供相应的产品与技术支持。
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发布时间:2026-08-13 09:49 阅读量:250 继续阅读>>
村田丨Picoleaf:打造新一代动物健康监测的柔性感测技术
  全球动物相关产业正经历持续扩张。以宠物产业为例,美国家庭宠物饲养数量预计将从2023–2024年的约8,690万户增长至2026年的9,500万户,增幅约9.3%;全球超过半数家庭至少饲养一只宠物。  与此同时,全球畜牧业每年需管理数十亿至上百亿头经济动物。随着饲养规模的不断扩大,传统的监测方式与感测技术在实时性、准确性、自动化及大规模部署等方面逐渐显露出局限性。  01  行业背景与挑战:  从规模扩张到准确管理  如何通过新型感测技术实现更有效、实时的动物监测与管理,已成为增强动物照护水平的关键课题。  当前,动物监测领域面临诸多痛点:  人力局限:无论是在牧场、家庭还是动物医院,照护人员难以通过人工观察实时掌握多只动物的健康状况。  数据缺失:畜牧业缺乏对动物活动与生理变化的长期连续追踪,影响饲养效率与疾病预防;宠物主人难以及早发现异常行为或健康预警。  医疗盲区:动物医院常面临夜间值班人力不足、住院动物无法持续监测等问题,导致病情变化未能被及时发现。  02  技术需求:  构建理想的健康监测系统  针对上述挑战,构建理想的动物监测系统,需具备以下六大核心技术能力:  舒适佩戴:载体设计需适合长时间佩戴,减少动物应激反应。  信号稳定:能够准确测量心跳、呼吸等微弱生理信号。  抗干扰能力:有效应对动物活动产生的动作干扰。  低功耗设计:延长设备续航,减少维护频率。  环境适应性:适应毛发覆盖、汗液分泌及户外复杂环境。  实时连续监测:提供不间断的健康数据流,支持即时预警。  03  Picoleaf:  从智慧畜牧到多元产业的感测创新  智慧化发展的核心,在于设备能否获取更真实、更细致的环境信息。过去,电子系统多侧重于数据处理与运算;如今,随着感测技术的进步,设备已具备感知微小变化的能力,使数字系统与真实世界的连接更加紧密。  Picoleaf 作为新一代柔性感测技术的代表,其价值不仅局限于动物健康监测。在实际应用中,许多产业均面临微弱信号采集难、传感器部署受限或测量环境复杂等挑战。从个人健康照护、工业设备监测,到智慧生活与新型人机交互界面,市场亟需更贴近场景需求的感测方案。  未来,感测技术的发展将不再仅追求测量精度,更将重视与应用场景的深度整合。Picoleaf 所展现的价值,在于提供了一种崭新的感测可能性——当设备能够捕捉过去难以获取的微小动态信号时,将为更多创新应用开启广阔的想象空间。  虽然现有感测技术已能够应用于部分动物健康监测场景,但在长期佩戴、微弱信号采集以及动态环境下,仍容易受到传感器重量、刚性及环境因素影响,从而降低测量稳定性。此外,部分测量方式仍需进行局部剃毛或固定处理,增加了实际导入与长期使用的难度。因此,市场开始寻求兼具柔性化、高灵敏度与低功耗特性的下一代感测技术,以实现更自然、更持续的动物健康管理。  作为村田(Murata)开发的纤薄柔性感测元件,Picoleaf 具备高灵敏度、薄膜结构及低功耗等特性。其可弯曲的结构更容易整合至空间受限、曲面贴附或穿戴式设备等应用场景,使其能够更灵活地整合到不同类型的感测系统与产品架构中,并可用于微弱生理信号及动态物理变化的测量。  Picoleaf:从智慧畜牧到多元产业的感测创新  何谓 Picoleaf?  Picoleaf 延续了村田(Murata)产品一贯的特色:「轻、薄、短、小」,其厚度仅约 0.2 mm,最小尺寸可达 2 × 10 mm(感测元件本体,不含连接端)。纤薄的薄膜结构不仅有助于降低元件本身的存在感,也使感测元件能够更贴近测量对象,从而进一步加强对微小动态变化的感知能力。除了尺寸上的优势之外,其采用的压电薄膜材料也是 Picoleaf 的核心特色之一。  Picoleaf 所采用的压电薄膜材料,是以植物淀粉发酵制成的聚乳酸(PLA)为基材,不仅具备柔性薄膜特性,也不同于传统着重于静态力量测量的感测方式,更擅长捕捉形变过程中的动态变化,能够高灵敏度地感知:  扭转  微小振动  压力变化  微小位移  甚至可检测到 1 µm(微米)级别的微小变形。这使得电子设备不再只是接收输入信号,而是开始能够感知更多来自真实世界的动态物理信号。  在环境可持续发展方面,Picoleaf 兼顾感测性能与环保特性。其采用碳中和薄膜材料制成,符合 RoHS 标准,在兼顾高感测性能的同时降低环境负担,实现感测效能与可持续价值的双重提高。  此外,Picoleaf 具备出众的低功耗特性,感测元件本体不需要供电,搭配仅约 10 μA 的驱动放大电路,有助于延长装置使用时间,特别适合长时间运行的感测系统。  除了低功耗优势外,Picoleaf 亦具备高度稳定的感测特性。由于不受热释电效应影响,即使在人体或动物体温、阳光照射,或电子元件发热等环境下,仍能有效降低信号漂移与噪声干扰,维持长时间监测所需的稳定性与可靠性。  在应用灵活性方面,Picoleaf 检测的是物理形变本身,而非电容变化,因此即使用户佩戴手套,或产品采用防水、防护外壳设计,仍能维持良好的感测能力。这项特性使其更容易整合至多种穿戴式设备与户外应用环境。  对于智慧畜牧而言,动物健康监测通常需要长时间佩戴、低功耗运行以及微弱信号测量能力,而这些需求正是 Picoleaf 技术优势尤其能发挥价值的应用场景。  柔性感测技术于动物健康监测之应用  综合上述特性,Picoleaf 不仅是一项感测技术,更有机会成为推动智慧动物照护的重要基础。从智慧畜牧、宠物健康管理到动物医疗监测,均可依据不同动物类型与应用需求,整合于项圈、脚环、胸背带或贴附式装置中,打造更实时、更连续且更贴近动物日常生活的健康监测方案。  通过这类穿戴式感测装置所收集的心率、呼吸率等生理与行为信息,不仅能够反映动物当前的健康状态,也有机会进一步掌握疾病、压力、发情或术后恢复等生理变化趋势。相较于传统人工观察方式,连续性的数据采集更有助于在不影响动物日常活动的情况下,建立长期健康记录,并增强异常状况的早期发现能力。  智慧畜牧中的应用  在智慧畜牧领域中,牛只在发情期间通常伴随着活动量增加、心跳加快等生理与行为特征;而在疾病、压力或分娩前后,也可能出现特定的活动模式与生理变化。未来可进一步发展以下应用:  • 发情相关行为与生理特征分析  • 健康状态与压力指标监测  • 分娩前后生理状态观察与预警  • 异常行为的早期检测  宠物照护应用  而在宠物照护与动物医疗领域,生理信号监测同样具有重要价值。例如高龄犬猫、术后恢复中的动物或重症监护病房(ICU)住院个体,其健康状态可能在短时间内发生变化。受限于人力配置及监测设备限制,医护人员未必能够全天候持续观察每一只动物。若能通过穿戴式监测装置持续掌握动物的生理与活动信息,将有机会协助及早发现异常征兆,降低关键病情被忽略的风险。  感测技术的价值不仅在于实时监测动物状态,更在于结合数据存储与分析机制,将长期积累的生理与行为信息转化为具有参考价值的管理依据,进而建立可分析、可追踪且具预估能力的健康管理模式。当感测数据进一步结合 AI 分析与云端平台后,未来有望从智慧畜牧延伸至宠物照护与动物医疗领域,朝着更全面的准确动物医疗(Precision Animal Healthcare)发展,改进动物福利与照护品质。  从智慧畜牧到多元产业的感测创新  智慧化发展的核心,往往来自于设备能否获取更多、更真实的环境信息。过去的电子系统大多着重于数据处理与运算能力。然而,随着感测技术持续进步,设备开始具备更细致地感知周围变化的能力,使数字系统与真实世界之间的连接更加紧密。  然而,动物健康监测仅是柔性感测技术众多应用场景之一。在实际环境中,许多产业同样面临微弱信号难以采集、传感器不易部署或测量环境复杂等挑战。从健康照护、工业设备监测,到智慧生活与新型人机交互界面应用,均需要更贴近实际场景需求的感测方案。  因此,未来感测技术的发展方向,除了追求更高的测量精度之外,也将更加重视与应用场景的整合能力。作为新型柔性感测技术的一员,Picoleaf 所展现的价值不仅在于单一应用领域,更在于提供了一种崭新的感测可能性。当设备能够感知过去难以获取的微小动态信号时,也将为未来更多创新应用开启新的想象空间。
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发布时间:2026-08-12 13:43 阅读量:263 继续阅读>>
国内首家|纳芯微NovoGenius®系列电机控制Turnkey Solution获得ASP<span style='color:red'>IC</span>E CL2认证
  近日,纳芯微 NovoGenius®系列电机控制Turnkey Solution*软件开发项目,依据Automotive SPICE® PAM 4.0完成专业过程能力评估并达到能力等级2(Capability Level 2,简称“CL2”)。此次评估结果表明,该项目已建立覆盖软件需求、设计、开发、验证及项目管理的受控流程,为客户提供更加规范、稳定、可追溯的软件支持,助力提升方案开发与量产导入效率。  纳芯微是国内首家以电机控制 Turnkey 软件项目通过 CL2 的芯片厂商。本次评估覆盖从软件需求分析到软件验证的软件开发全流程,共11项过程达到CL2要求,认证深度和广度均处于行业前列。  *Turnkey Solution:基于NovoGenius®系列的NSUC16xx电机驱动芯片,配套软件算法、开发工具及技术支持的一体化电机控制解决方案。  构建贯穿软件全生命周期的过程能力  随着汽车电子功能持续增加、电子电气架构向集中化和网络化演进,车辆功能日益依赖软件实现与跨系统协同。开发者选型时,不仅关注芯片本身的性能和可靠性,也越来越关注芯片厂商能否持续提供规范、稳定、可维护的软件及技术支持。  Automotive SPICE(汽车软件过程改进和能力评定)是国际汽车行业广泛认可的软件开发过程评估与改进框架,由德国汽车工业协会(VDA)主导制定,用于系统性评价嵌入式软件及系统的开发过程成熟度与能力水平。  NovoGenius®系列电机控制Turnkey Solution通过Automotive SPICE® CL2认证,意味着相关软件开发过程不仅能够实现预期目标,而且已经通过计划、监控和调整进行管理,需求、设计、代码、测试结果和发布版本等工作产品也得到相应控制和维护。  11项过程达到CL2  过程可追溯,软件交付更可控  此次评估覆盖软件需求分析、软件架构设计、软件详细设计与单元构建、软件单元验证、软件组件及集成验证、软件验证,以及项目管理、质量保证、配置管理、问题解决管理和变更请求管理:  需求到验证,全流程可追溯。通过规范的软件需求、设计和验证流程,建立从客户需求到软件实现、再到验证结果的完整追溯链,帮助客户更高效地完成需求确认、项目审查与变更评估。  版本与变更受控,提升交付可预期性。对软件版本、需求变更及影响范围进行统一管理,减少协同偏差,提升开发、联调和交付节奏的确定性。  问题处理形成闭环。对问题分析、解决及验证过程进行闭环管理,提升问题沟通与解决效率,支持客户更顺畅地推进系统集成与量产导入。  更高效对接汽车客户研发体系。通过规范的软件过程和交付物体系,有效对接主机厂和 Tier 1 的供应商评估、项目审查及软件质量管理要求,提升双方的协同效率。  从芯片到软件  完善电机控制解决方案  NSUC16xx是纳芯微NovoGenius®汽车专用“MCU+”家族中,面向汽车智能执行器及电机控制应用打造的“MCU+电机驱动”产品系列。不同型号可支持有刷直流电机、无刷直流电机和步进电机等多种电机类型,覆盖座椅通风、电子水阀、空调出风口/风门执行器、主动进气格栅、充电小门及电子水泵、油泵、电子冷却风扇、鼓风机等应用场景。  针对不同电机控制需求,NSUC16xx系列通过集成MCU、电机驱动或预驱、通信及保护等功能,帮助客户简化系统设计。配合开发板、软件算法、配置工具及应用支持,可进一步降低客户从芯片评估到系统开发的技术门槛。  高集成度芯片有助于降低硬件设计复杂度,规范、受控的软件开发与交付流程则提升了方案导入和持续迭代的可预期性。通过软硬件能力协同,纳芯微致力于为客户提供“芯片+软件+工具+技术支持”的系统级服务。此次ASPICE CL2认证的获得,进一步体现了纳芯微在电机控制领域的软件开发与系统交付能力,也为客户评估和选择可靠、可追溯的电机控制方案提供了重要参考。
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发布时间:2026-08-05 10:14 阅读量:359 继续阅读>>
电源管理集成电路 <span style='color:red'>IC</span> 的工作原理是什么?
  电源管理IC是一种高度集成的专用芯片,主要功能是对输入电源进行转换、调节、监控以及管理,从而为电子系统中的各部分电路提供所需的电压、电流及保护机制。它通常集成了降压(DC-DC)、升压、线性稳压、充电管理、电池管理、功率开关控制、过流过压保护等模块。  电源管理IC的核心功能模块及原理  1. 电压转换模块  PMIC中最核心的部分是电压转换单元,常见的有降压转换器(Buck)、升压转换器(Boost)和线性稳压器(LDO)。  降压转换器(Buck)原理  通过周期性开关晶体管控制输入电压,通过电感、电容滤波,实现将高电压转为低电压。核心是控制开关管的占空比(PWM),以调整输出电压。电感储能和释放能量,实现能量高效转换。  升压转换器(Boost)原理  利用开关管和储能元件电感,使输出电压高于输入电压。开关管周期性断续导通,将输入电能储存在电感中,再转移至输出端,达到升压目的。  线性稳压器(LDO)原理  通过调整串联的功率晶体管,使输出电压保持恒定,响应快速,输出噪声低,但效率较低,适合小电流应用。  2. 充电管理模块  PMIC可集成锂电池充电器,负责控制充电电压、电流、充电阶段(如预充、恒流充电、恒压充电),确保电池安全、高效充电。通过检测电池状态动态调整充电参数。  3. 电池管理模块  监测电池电压、电流和温度,实现过充、过放保护,延长电池寿命,防止异常情况发生。  4. 电源监控与保护  监测输入输出电压、过流、过温等异常状态,及时发出警报或关闭输出,保护系统安全。部分PMIC集成复位控制电路,保证系统上电顺序和稳定启动。  5. 多路电源输出控制  为了满足不同模块的电压需求,PMIC集成多通道电压转换器,通过智能控制协调输出,支持多种电源轨工作。  电源管理IC的工作流程  输入电源接入  外部电源(如锂电池、电源适配器等)接入PMIC的输入端。  状态检测与控制  PMIC内部检测输入电压、电池状态、温度等,并结合系统需求决定功率开关的工作状态及输出参数。  电压转换与调节  开关转换器根据反馈信号调节占空比,实现稳定的输出电压。  保护与监控激活  当监测到异常时,启动相应保护功能,如过流关断、欠压报警等,确保系统可靠运行。  多路输出协调  根据系统负载需求,智能调整多路电压输出,优化电源效率。  电源管理IC的优势  集成度高  多功能模块集成于一芯片,节省PCB面积,降低系统复杂度。  节能高效  先进的开关电源设计与智能控制,提高转换效率,延长电池续航。  保护完善  内置各种保护机制,保障设备安全,提升可靠性。  设计灵活  支持多种电压输出和动态调整,适应不同应用需求。  应用领域  电源管理IC被广泛应用在智能手机、平板电脑、笔记本电脑、物联网设备、可穿戴设备、电源适配器、工业控制及汽车电子等领域,成为现代电子产品不可或缺的基础模块。
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发布时间:2026-08-04 14:15 阅读量:339 继续阅读>>
降损提效,光伏模组散热革新 —— 萨瑞微 SR<span style='color:red'>IC</span>3040 理想旁路二极管,光伏国产替代优选方案
  01  光伏行业难解痛点  在光伏电站长期运行中,树叶遮挡、积灰、建筑阴影带来的热斑效应,始终是制约组件发电效率、威胁设备安全的核心痛点。行业数据显示,超 78% 的光伏组件早期失效问题与热斑相关,局部高温不仅会造成单块组件发电量暴跌,严重时还会融化封装胶膜、烧毁焊带,甚至引发电站起火事故。  为解决热斑防护的行业难题,市场主流方案是在接线盒内置旁路二极管。但传统 PN 结二极管、普通肖特基二极管存在难以规避的先天缺陷:PN 二极管正向压降 0.6V 左右,肖特基二极管压降也达到 0.4V,8A 工作电流下功耗高达 3.2W,持续发热会不断抬升接线盒内部温度,加速组件老化,大幅缩短光伏 30 年设计使用寿命。同时传统器件反向漏电流偏高,高温工况下静态损耗进一步加剧,成为光伏行业长期无法彻底解决的隐性成本。  传统旁路方案短板  1. PN 二极管:VF≈0.6V,损耗巨大,高温工况失效风险高;  2. 普通肖特基:VF≈0.4V,8A 功耗 3.2W,漏电流偏大,长期高温可靠性差;  3.升级改造成本高:多数新型器件封装不兼容,客户需重新开模、改版 PCB。  行业迫切需要一款大电流、低发热、高可靠、可直接兼容替换的新一代旁路保护器件。立足江西本土 IDM 厂商——江西萨瑞微电子,针对性推出全新一代智能旁路二极管SRIC3040,完美解决上述行业痛点。  02  SRIC3040 产品深度解析  1.产品基础定位  SRIC3040 是面向光伏组件接线盒、微型逆变器、功率优化器的智能 MOS 型理想旁路二极管,采用通用 D2PAK(TO263-3L)封装,引脚定义与市面传统光伏肖特基完全兼容,现有产线、PCB 无需改动,可直接替换。  2.创新集成架构,读懂低损耗工作原理  SRIC3040 并非普通二极管,是集成电荷泵、控制驱动电路、低阻功率 MOSFET的一体化智能芯片,完整工作循环分为 4 个阶段:  遮挡初期  光伏电池片被遮蔽,主 MOS 管关断,旁路电流仅能通过 MOS 体二极管流通,两端形成 0.6V 常规压降;此时内置电荷泵同步启动,为储能电容 C1 充电。  MOS 导通启动  电容电压达到预设阈值后,电荷泵停止工作,储能电容输出电压驱动功率 MOS 完全打开。  循环复位低损耗长导通区间  MOSFET 形成极低电阻通路,器件平均正向压降骤降至 96mV,8A 工况功耗仅 768mW,相比传统肖特基损耗降低 76%;此阶段器件占空比超 92%,绝大多数时间维持低热耗状态。  循环复位  电容储能耗尽后,MOS 管关断,电流重新切换至体二极管,电荷泵再次充电循环;当遮挡消失、电池片恢复正常发电,旁路无电流,器件自动停止工作。  依靠高占空比 MOS 持续导通的核心设计,SRIC3040 从底层电路解决传统二极管高发热、高损耗的短板,真正实现光伏旁路 “低温、低耗” 运行。  3 五大硬核优势  01  超低导通损耗  实测 25℃、8A 标准工况下,SRIC3040 平均正向压降仅 96mV,功耗 768mW;同等条件下常规肖特基功耗高达 3.2W。即便在 125℃极限高温环境,8A 功耗也仅 856mW,大幅缓解接线盒内部热堆积,减少高温对二极管、焊带、封装材料的老化侵蚀,显著提升组件长期可靠性。  02  超大电流承载  器件额定持续正向电流 15A,峰值电流可达 40A,30V 反向耐压、28V 推荐工作电压,完美匹配 182/210 大尺寸、高电流光伏组件,同时满足微型逆变器、功率优化器旁路回路大电流冲击需求,遮挡、热斑突发工况下稳定分流,杜绝热失控风险。  03  极低反向漏电流  电气特性测试显示,25℃环境下反向漏电流仅 0.01μA,125℃高温极限仅 0.1μA,远优于普通肖特基二极管。组件无遮挡正常发电时,极小漏电流不会产生额外电能损耗,长期累积可提升电站整体发电收益。  04  TO263-3L 标准封装  SRIC3040 采用行业通用 D2PAK(TO263-3L)封装,尺寸 10.16mm×9.02mm,引脚定义与市面主流光伏肖特基完全兼容,丝印 D15/3040 便于生产识别。组件厂、接线盒厂商无需修改 PCB、重新开模、调整产线,现有物料体系可直接切换,大幅降低产品升级改造成本。  05  宽温工业级防护  芯片工作结温覆盖 - 40℃~125℃,存储温度范围 - 65℃~125℃,无论是北方冬季严寒、南方夏季高温暴晒,还是沿海高湿、沙尘户外环境,均可稳定工作;内置 HBM±1000V ESD 静电防护,规避生产、装配过程静电击穿器件风险;芯片至底部焊盘热阻仅 0.5℃/W,散热性能优异,进一步降低高温失效概率。  03  全场景落地,覆盖光伏全产业链需求  核心应用场景  光伏组件接线盒  单块组件内置 3 颗 SRIC3040,分别对应三组电池串,当局部电池片被落叶、鸟粪、阴影遮挡时,快速建立低损耗旁路通道,阻止热斑产生,保护整板组件安全。  微型逆变器、光伏功率优化器  作为旁路保护器件,优化组串电流平衡,减少局部遮挡带来的功率损失,提升分布式户用、工商业光伏系统发电效率。  04  实测数据直观对比  电气参数对比表  示波器波形实测佐证  85℃环境、15A 旁路电流工况下,示波器波形清晰显示:SRIC3040 可长时间维持 MOS 低阻导通状态,压差稳定维持百毫伏区间。  05  企业实力:IDM 功率半导体厂商  江西萨瑞微电子是集芯片设计、晶圆制造、封装测试于一体的 IDM 功率半导体企业,深耕新能源功率器件赛道,聚焦光伏、储能、电源领域专用芯片研发。  1  自研全链路  ● SRIC3040 从芯片电路、晶圆工艺到 TO263 封装全部自主开发;  2  专属技术服务  ● 可提供免费样品测试、PCB 应用指导、热仿真分析、可靠性测试支持;  3  稳定批量交付  ● 自有产线保障交期,适配组件厂大批量生产需求。  随着光伏组件功率持续升级,传统高损耗肖特基旁路方案已无法匹配行业高效、安全、长寿的发展需求。江西萨瑞 SRIC3040 智能旁路二极管,凭借超低损耗、大电流、兼容替换、高可靠四大核心优势,一站式解决光伏热斑、高温损耗、升级改造成本高的行业痛点,为光伏产业链提供国产化高性能旁路保护新选择。  未来,萨瑞微电子将持续深耕光伏功率半导体创新,以自研芯片技术助力光伏产业降本增效,推动新能源器件国产化高质量发展。 如需样品测试、技术对接,可联系江西萨瑞微电子销售团队获取完整规格书与应用方案。
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发布时间:2026-07-31 14:01 阅读量:422 继续阅读>>
海凌科丨从“炫技”到“干活”:2026 WA<span style='color:red'>IC</span>上的AI Home揭示了什么?
  2026年7月,上海世界人工智能大会(WAIC)现场释放了一个清晰的信号:AI产业正式告别概念炒作的上半场,全面进入落地实干的下半场。去年随处可见的大模型参数对比和榜单排名,今年几乎看不到了,取而代之的是机械臂的运转声、AI终端的实时交互屏以及一张张标注着“已量产”“已部署”的展牌。而“AI Home”,正是这场转变最生动的注脚。  一、从“能听懂”到“会操心”  科技企业在WAIC现场搭建的“AI Home”样板间,覆盖客厅、厨房、书房、卧室,不是PPT演示,而是观众可以走进去实地体验的真实场景。台灯可以辅导作业,床垫能够记录睡眠状态,机器狗在客厅陪伴互动——屋里的每一件设备,仿佛都长了一个大脑。  这套系统和传统智能家居的差别是质的。过去智能家居只能死板执行语音指令,而AI Home更偏向主动服务——全屋硬件协同感知人的情绪和真实需求,主动分担生活琐事。用户只需表达简单的意图,硬件就能同时行动。茶吧机听懂“有点口渴”后主动出水,床垫根据身体状态调整角度,厨电记住一家人的口味和饮食禁忌——AI从“能听懂”进化到了“会操心”。  有参展企业高管直言行业转向:“大家更关注的是模型能不能干活,如何把基础模型落地到日常工作流或者生活,这是当下非常重要的评测指标。”  二、AI Home揭示的三大核心趋势  趋势一:从“炫参数”到“拼落地”  本届WAIC最明显的变化是:大模型参数对比和榜单排名几乎消失了。行业竞争已从模型参数的单点突破,演变为数据、算力、硬件、场景的系统级较量。一些头部企业开始系统展示面向物理世界的AI模型矩阵,其核心优势不是模型本身,而是场景驱动的逆向技术路线——从真实业务需求倒推模型能力。  趋势二:具身智能路线分化,从“要不要做”到“做什么”  本届WAIC最明显的趋势是具身智能企业的路线分化。行业已经从“要不要做机器人”的阶段,走到了“做什么样的机器人”的阶段。AI Home领域已分化出本体算力、云端算力、边缘盒子整合分散算力三条主流路线。不再是一拥而上做通用人形机器人,而是锚定垂类场景做精做深。  趋势三:开放生态成为胜负手  当前AI Home商业落地的最大痛点是不同品牌设备、不同系统之间接口不开放,无法实现真正的互联互通。部分头部平台已推出AI连接家庭硬件的去中心化入口,并已接入数百家品牌,终端接入量达千万级。未来能在多大程度上打破品牌壁垒、真正实现跨设备协同,将是行业规模化发展的关键。  三、更广阔的物理世界  AI Home只是AI进入物理世界的一个切片。在具身智能展示区,一些企业带来了头戴式数据采集设备,观众戴上设备即可记录第一视角作业数据,让真实操作转化为AI的学习素材。物流无人机和机器人军团已覆盖仓储、拣选、搬运、运输、配送全链路。AI医生已基于自研医疗大模型,深度融合在线问诊、到家快检等全流程能力。  AI已经走出实验室和概念阶段,进入家庭、牧场、生产线。它不再仅是“技术展示”,而是深度渗透家庭消费与产业生产场景,实现“服务落地”与“产业效能释放”。正如业内专家所言,全球具身智能仍处在早期探索阶段,尚未迎来行业标志性的“GPT3时刻”。数据标准、模型架构、评测体系仍未统一,这也为深耕真实产业场景的企业留下了广阔的突破空间。  四、总结  2026 WAIC上的AI Home揭示的趋势清晰而深刻:AI正在从虚拟世界的“炫技者”,变成物理世界的“实干家”。 参数再大、模型再强,如果不能进入物理世界、完不成真实任务,都只是纸上谈兵。  当台灯开始辅导作业、床垫主动守护睡眠、茶吧机听懂“有点口渴”的那一刻,AI不再是屏幕上冰冷的代码,而是真正住进了生活。这或许正是“物理AI元年”最值得期待的开端。
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发布时间:2026-07-30 14:09 阅读量:388 继续阅读>>

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