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AMEYA360代理丨ROHM SiC基础篇：SiC-SBD与Si-SBD比较——结构相近，为何SiC能突破200V耐压极限？

　　ROHM(罗姆)成立于1958年，总部位于日本京都，是全球知名半导体制造商，深耕功率半导体与碳化硅(SiC)技术多年，拥有自研 SiC 工艺与迭代升级的第四代、第五代 SiC 器件。ROHM SiC 产品以超低导通电阻、极低开关损耗、高耐温与高可靠著称，覆盖 SiC 肖特基势垒二极管(SiC-SBD)、SiC MOSFET、全 SiC 功率模块及混合 SiC 模块等，广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、储能、充电桩、工业电源、服务器电源、UPS、电机驱动等大功率高性能场景。在 SiC-SBD 方面，ROHM 已量产 650V、1200V 产品，并持续开发 1700V 等更高耐压器件。　　Ameya 作为 ROHM 官方授权代理商，全权承接 ROHM 全系列高性能 SiC 器件，可为客户提供原厂正品现货、样品申请、批量供货、BOM 配套、替代料建议、精准选型、交期管理及全程售后技术服务。　　继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。　　SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管　　下面从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。如下图所示，为了形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，其重要特征也是具备高速特性。　　而SiC-SBD的特征是其不仅拥有优异的高速性还同时实现了高耐压。要想提高Si-SBD的耐压，只要增厚图中的n-型层、降低载流子浓度即可，但这会带来阻值上升、VF变高等损耗较大无法实际应用的问题。因此，Si-SBD的耐压200V已经是极限。而SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。　　ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。　　SiC-SBD和Si-PN结二极管　　通过Si二极管来应对SBD以上的耐压的是PN结二极管(称为“PND”)。下图为Si-PN二极管的结构。SBD是仅电子移动，电流流动，而PN结二极管是通过电子和空穴(孔)使电流流动。通过在n-层积蓄少数载流子的空穴使阻值下降，从而同时实现高耐压和低阻值，但关断的速度会变慢。　　尽管FRD(快速恢复二极管)利用PN结二极管提高了速度，但尽管如此，trr(反向恢复时间)特性等劣于SBD。因此，trr损耗是高耐压Si PN结二极管的重大研究项目。此时，开关电源无法对应高速的开关频率也是课题之一。　　右上图表示Si的SBD、PND、FRD和SiC-SBD耐压的覆盖范围。可以看出SiC-SBD基本覆盖了PND/FRD的耐压范围。SiC-SBD可同时实现高速性和高耐压，与PND/FRD相比Err(恢复损耗)显著降低，开关频率也可提高，因此可使用小型变压器和电容器，有助于设备小型化。　　以下是1200V耐压SiC-SBD技术规格的一部分。后续将针对主要特性进行介绍。　　面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。　　SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性的不同　　首先，反向恢复或恢复是指二极管在呈反向偏置状态时，无法立即完全关断，有时会出现反向电流的现象。trr是其反向电流的流动时间。此时，前文提到SiC-SBD的trr比包含Si-FRD在内的Si-PND高速。下面我们来了解其原因和实际特性。　　简单地说,trr的速度和反向恢复特性的不同是因为二极管构造不同。这就需要谈到在半导体中移动的电子和空穴。先通过波形图来了解SiC-SBD和Si-PND反向恢复特性的不同。　　右侧波形图为SiC-SBD和高速PND即Si-FRD反向恢复时的电流和时间。从波形图可见红色的SiC-SBD反向电流少，trr也短。顺便一提，本特性因为反向电流的损耗而需要进行研究探讨。　　在这里，通过各二极管的断面图进行介绍。下图为Si-PND的偏置从正向偏置转换为反向偏置时电子和空穴的移动。　　正向偏置时注入载流子，通过空穴和电子的重新结合使电流流动。如果是反向偏置的话，n层的空穴(少数载流子)会花些时间返回p层，到完全返回为止(一部分因为寿命而消失)均有电流流动。这就是反向恢复电流。　　第2个图为SiC-SBD转换为反向偏置时的示意图。因肖特基势垒结构而不存在PN结,所以没有少数载流子，在反向偏置时n层的多数载流子(电子)只需要返回,因此只需要很少的反向恢复时间，其关断时间比PND明显缩短。　　这种反向恢复时间的差异均因为二极管结构。因此，Si-SBD的反向恢复也是高速。然而，Si-SBD现状的耐压界限是200V左右，在比其更高的电压下不能使用。而使用SiC的话，可以做出超过600V的高耐压SBD。这就是SiC-SBD的一大优点。　　下面是反向恢复特性的温度依赖性和电流依赖性相关数据。　　上段的波形图和图表表示不同温度的不同反向恢复特性。Si-FRD的温度上升时载流子浓度也随之上升，因此需要相应的反向恢复时间。随着室温的增高，反向电流和trr也会变大。而SiC-SBD因为SiC本身基本上没有温度依赖性，所以反向电流特性基本没有变化。将trr的差制作了右上的图表，通过对两种Si-FRD的比较，发现SiC-SBD的trr基本上不存在温度依赖性。　　下段的波形图表示与正向偏置时的正向电流IF的关系。由波形图可观察到SiC-SBD几乎不受影响。　　最后，虽然前面表述为SiC–SBD几乎没有反向电流，在波形图里可明显看出SiC-SBD比Si-FRD少很多，但也不是一点没有。这是因为二极管中寄生的结电容带来的影响。因此，SiC-SBD与Si-PND相比，反向电流并不是零，而是明显减少。　　前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。　　SiC-SBD和Si-PND正向电压特性的区别　　二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的，但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面与Si-PND的FRD(快速恢复二极管)进行比较。　　下图是相对于SiC-SBD和Si-FRD的正向电流IF的VF特性图。是从25℃到200℃按8个级别的温度条件测量的数据。　　SiC-SBD随着温度的上升，IF开始流动，VF有些下降，但因电阻上升，斜率变缓和，在正常使用范围的IF下，VF上升。　　Si-FRD随着温度的上升，VF单纯地下降。如图中的线条轨迹所示，无论哪个温度，斜率基本相同，VF单纯下降。　　这些特性取决于其各自的物理特性和结构，但也各有各的优缺点。刚才提到理想的二极管。那么，Si-FRD的VF随着温度升高而下降，传导损耗减少，看起来好像是好事，但随着VF的下降，IF增加，即使损耗略有下降，但发热増加量更胜一筹，甚至可能陷入VF下降、IF增加的热失控状态。　　而SiC-SBD随着温度升高，VF变高，不会热失控。但是VF上升，因此具有IFSM(瞬间大电流耐受能力)比Si-FRD低的缺点。　　SiC-SBD的VF特性改善　　为提升具有卓越本质的SiC-SBD的特性，使之更加易用，开发了VF降低的新一代产品。ROHM开发了第2代系列产品。ROHM的第1代产品及其他公司类似产品的VF当IF=10A时为1.5V，而第2代产品的VF低至1.35V。下图是参考值，是25℃和125℃时的IF vs VF示意图。　　红色线条是ROHM第2代SiC-SBD的VF特性。　　trr和VF损耗相关的研究　　本篇介绍了SiC-SBD和Si-FRD的VF特性区别，下面看一下包括前篇的trr特性在内的损耗相关内容。　　为对SiC-SBD进行说明，对trr和VF进行了与Si-PND(FRD)的比较，这是有原因的。左下图是本章开头对Si二极管和SiC二极管的耐压范围进行说明时使用的。关键在于，Si-PND/FRD和SiC-SBD的耐压范围基本相同，可用于相同应用。SiC-SBD是新的元器件，换个说法可以说，现有Si-PND/FRD覆盖的范围基本上都可以用SiC-SBD替换。　　尤其是高速性很重要的应用等，在Si-FRD和SiC-SBD两者间权衡时，要想选出最适当的二极管，需要理解两者的特性。另外，毋庸置言，在探讨事项中“损耗降低”是最重要的课题。　　前篇的trr对应开关损耗，本篇的VF对应传导损耗。关于Si-FRD和SiC-SBD，右下图是这两种损耗的情况。　　trr越快VF越低，综合损耗越小。Si-FRD是trr越快，VF反而增加。而第2代SiC-SBD在保持传统SiC-SBD高速trr的基础上，将VF从1.5V降低到1.35V。　　在目前情况下，功率Si-FRD和SiC-SBD中，第2代SiC-SBD最具有降低损耗的可能性。　　Ameya：ROHM 代理商，助力 SiC-SBD 落地　　Ameya 作为 ROHM 官方授权代理商，全权承接 ROHM 全系列高性能 SiC 器件，可为客户提供原厂正品现货、精准选型、技术方案支持、样品申请及全程售后配套服务。　　ROHM SiC 产品包括：　　ROHM SiC 肖特基势垒二极管(SiC-SBD)　　ROHM SiC MOSFET　　ROHM 全 SiC 功率模块、混合 SiC 模块　　SiC 功率元器件可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、储能、充电桩、工业电源、服务器电源、UPS、电机驱动等领域。具体型号、电压/电流等级、封装与参数，请以 ROHM 最新数据手册为准。　　Ameya 作为 ROHM 代理商，欢迎联系获取 ROHM SiC-SBD 产品选型手册、样品与供应支持。

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发布时间：2026-10-09 16:01 阅读量：206 继续阅读>>

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AMEYA360代理丨ROHM SiC基础篇：为何SiC能成为新能源主力器件？

　　ROHM 深耕碳化硅技术多年，拥有自研工艺与迭代升级的第四代、第五代 SiC 器件，凭借超低导通电阻、极低开关损耗、高耐温高可靠的核心优势，在全球 SiC 功率器件领域稳居领先地位，产品性能远超行业常规水准，广泛适配高端工业、新能源、服务器电源等大功率高性能场景。　　AMEYA为ROHM官方授权代理商，全权承接ROHM全系列高性能SiC器件，可为客户提供原厂正品现货、精准选型、技术方案支持、样品申请及全程售后配套服务。　　何谓碳化硅　　碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。一开始，我们先来了解一下它的物理特性和特征。　　SiC的物理特性和特征　　SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。SiC存在各种多型体(多晶型体)，它们的物理特性值各有不同。4H-SiC最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。　　表中黄色高亮部分是Si与SiC的比较。蓝色部分是用于功率元器件时的重要参数。如数值所示，SiC的这些参数颇具优势。另外，与其他新材料不同，它的一大特征是元器件制造所需的p型、n型控制范围很广，这点与Si相同。基于这些优势，SiC作为超越Si限制的功率元器件用材料备受期待。　　SiC功率元器件的特征　　SiC比Si的绝缘击穿场强高约10倍，可耐600V～数千V的高压。此时，与Si元器件相比,可提高杂质浓度，且可使膜厚的漂移层变薄。高耐压功率元器件的电阻成分大多是漂移层的电阻，阻值与漂移层的厚度成比例增加。因为SiC的漂移层可以变薄，所以可制作单位面积的导通电阻非常低的高耐压元器件。理论上,只要耐压相同，与Si相比,SiC的单位面积漂移层电阻可低至1/300。　　Si 功率元器件为改善高耐压化产生的导通电阻増大问题，主要使用IGBT(绝缘栅极双极晶体管)等少数载流子元器件(双极元器件)。但因为开关损耗大而具有发热问题，实现高频驱动存在界限。由于SiC能使肖特基势垒二极管和MOSFET等高速多数载流子元器件的耐压更高，因此能够同时实现 “高耐压”、“低导通电阻”、“高速”。　　此时，带隙是Si的约3倍，能够在更高温度下工作。现在，受封装耐热性的制约可保证150℃～175℃的工作温度，但随着封装技术的发展将能达到200℃以上。　　前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。　　SiC功率元器件的开发背景　　之前谈到，通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是为了促进解决全球节能课题。　　以低功率DC/DC转换器为例，随着移动技术的发展，超过90 %的转换效率是很正常的，然而高电压、大电流的AC/DC转换器的效率还存在改善空间。众所周知，以EU为主的相关节能指令强烈要求电气/电子设备实现包括消减待机功耗在内的节能目标。　　在这种背景下，削减功率转换时产生的能耗是当务之急。不用说，必须将超过Si极限的物质应用于功率元器件。　　例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的开关损耗降低85%。如该例所示，毫无疑问，SiC功率元器件将成为能源问题的一大解决方案。　　SiC的优点　　如前文所述，利用SiC可以大幅度降低能量损耗。当然，这是SiC很大的优点，接下来希望再了解一下低阻值、高速工作、高温工作等SiC的特征所带来的优势。　　通过与Si的比较来进行介绍。”低阻值”可以单纯解释为减少损耗，但阻值相同的话就可以缩小元件(芯片)的面积。应对大功率时，有时会使用将多个晶体管和二极管一体化的功率模块。例如，SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10左右。　　关于“高速工作”，通过提高开关频率，变压器、线圈、电容器等周边元件的体积可以更小。实际上有能做到原有1/10左右的例子。　　“高温工作”是指容许在更高温度下的工作，可以简化散热器等冷却机构。　　如上所述，可使用SiC来改进效率或应对更大功率。而以现状的电力情况来说，通过使用SiC可实现显著小型化也是SiC的一大优点。不仅直接节能，与放置场所和运输等间接节能相关的小型化也是重要课题之一。　　Ameya：ROHM 代理商，助力 SiC 落地　　Ameya 作为 ROHM 代理商，可为您提供 ROHM SiC 功率元器件及相关支持，包括：　　ROHM SiC MOSFET　　ROHM SiC 肖特基势垒二极管(SiC SBD)　　ROHM 全 SiC 功率模块、混合 SiC 模块　　选型支持、样品申请、批量供货、BOM 配套　　替代料建议、交期管理、技术支持　　SiC 功率元器件可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、储能、充电桩、工业电源、服务器电源、UPS、电机驱动等领域。具体型号、电压/电流等级、封装与参数，请以 ROHM 最新数据手册为准。　　Ameya 作为 ROHM 代理商，欢迎联系获取 ROHM SiC 产品选型手册、样品与供应支持。

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发布时间：2026-10-09 15:57 阅读量：206 继续阅读>>

瑞萨推出超小尺寸多次可配置GreenPAK <span style='color:red'>IC</span>，采用超紧凑型WLCSP及STQFN封装

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瑞萨推出超小尺寸多次可配置GreenPAK IC，采用超紧凑型WLCSP及STQFN封装

　　采用9焊球、1.155mm × 1.155mm WLCSP封装的GreenPAK器件，尺寸紧凑;另提供STQFN封装选项，可支持更多I/O并提升封装灵活性　　支持借助I²C进行多次配置，可在产品部署后进行系统内缺陷修复、更新和配置更改　　支持1.71V至5.5V全范围工作与配置，适用于灵活、低成本的传感、控制和胶合逻辑功能　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布推出SLG46801，这是一款提供WLCSP及STQFN封装的GreenPAK可配置混合信号器件。该9焊球WLCSP封装尺寸仅为1.155mm × 1.155mm，将超小型封装与多次编程能力相结合，助力设计人员缩小智能戒指、智能手表、运动手环、VR眼镜及便携式电子设备等紧凑型产品的电路板空间。　　随着消费电子设备不断小型化、功能日益丰富，设计人员需要在减少元器件数量、PCB面积和物料清单成本的同时集成更多功能。SLG46801将常用的模拟、时序和逻辑功能集成于一款紧凑、低功耗的器件中，既可作为MCU的补充，也可替代多个分立元器件，从而满足上述需求。　　Jason Kim, Vice President and General Manager of the Core Analog Division at Renesas表示：　　设计人员既要在日益紧凑的产品中集成更多功能，又不能增加系统成本或开发工作量，同时还需降低功耗。SLG46801为我们的GreenPAK产品组合新增了超紧凑型WLCSP封装选项和灵活的系统内配置能力，助力客户打造尺寸更小、功能更丰富的产品，并可在产品部署后实施更新。　　SLG46801集成两路高速模拟比较器、可配置查找表、计数器和延迟单元、10kHz及25MHz振荡器、宽电压型GPIO，以及兼容I²C的串行接口。　　这些资源可支持：　　Q　　传感、控制、胶合逻辑、时序及系统管理功能　　适用于：　　Q　　消费电子、手持设备、智能家居系统、网络与通信、计算与存储、工业控制和物联网传感器节点等应用。　　除9焊球WLCSP封装外，SLG46801还提供12引脚、1.6mm × 1.6mm × 0.55mm STQFN封装。两种封装选项使客户能够在最小电路板面积、更多GPIO资源和工业应用封装偏好之间灵活权衡。该器件还可实现GreenPAK系列中极具竞争力的单GPIO成本。　　瑞萨长期深耕可配置混合信号技术领域，GreenPAK器件全球累计出货量已超过40亿颗。GreenPAK IC使设计人员能够在小尺寸、低功耗器件中整合模拟与数字系统功能，并可通过瑞萨Go Configure™软件中心进行配置。这一免费的图形用户界面开发环境可帮助客户开发定制硬件功能，无需增加额外的分立元器件，也无需进行复杂的固件开发。　　SLG46801集成支持多次编程的非易失性存储器，并可通过I²C接口实现系统内配置。客户可在器件集成到终端应用后实施缺陷修复、配置更改和产品升级，从而减少重新设计周期和额外的硬件改版。　　该器件支持在1.71V至5.5V的完整电源电压范围内工作和编程，是MTP GreenPAK器件中工作及配置电压范围最宽的产品。GPIO引脚还可动态复用为I²C接口，从而在引脚资源有限的设计中最大限度提高灵活性。可选的CRC-8和回读保护功能有助于实现更稳健、更可控的配置。

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瑞萨

发布时间：2026-09-28 11:11 阅读量：255 继续阅读>>

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ROHM SiC功率器件助力宝马新世代“Neue Klasse”电动动力总成

　　中国上海，2026年9月24日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其功率半导体解决方案已用于全球顶级汽车制造商宝马的电动汽车平台。在宝马提出的新世代电动平台“Neue Klasse”中，罗姆的SiC功率器件将助力电动动力总成系统进一步实现更高的效率、性能与可靠性。　　宝马的“Neue Klasse”中集成的罗姆SiC功率器件助力下一代电动出行工具发展。© Copyright BMW AG　　车载高性能SiC功率器件，不仅支撑着功率电子的主要功能，还要确保在严苛的车载环境下依然实现高能效和稳定运行。这有助于延长电动汽车的续航里程、提升其充电性能及整车能效。　　罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：　　“罗姆的SiC MOSFET被应用于宝马集团提出的‘Neue Klasse’第六代技术，充分彰显了罗姆在车载电力电子领域的技术实力。能够通过SiC技术与宝马集团携手推动下一代电动出行的发展，我们深感自豪。同时，此次采用也印证了罗姆长期致力于通过高品质、高可靠性产品持续为车载领域客户提供支持的承诺。”　　罗姆在车载功率半导体的开发与制造方面拥有丰富的经验。未来，罗姆将继续与全球各地的汽车制造商及一级供应商紧密合作，积极推动出行领域的电动化与脱碳进程。

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发布时间：2026-09-28 10:17 阅读量：382 继续阅读>>

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破局AI服务器电源能耗挑战：安森德第三代半导体（SiC/GaN）提供“芯”选择

　　过去两年，AI算力需求以每年数倍的速度增长。单机架功率从早期的几十千瓦，正在向数百千瓦乃至更高迈进。英伟达最新的GB200 NVL72系统，单机架功率已达到120kW级别。而下一代Rubin Ultra平台的设计目标已经指向600kW以上，甚至兆瓦级机架。　　但一个被忽视的事实是：算力越强，电源系统面临的压力越大。　　传统数据中心供电架构中，12V或48V母线在千瓦级功率下，电流可达数百安培甚至更高。这意味着仅仅在线缆和连接器上的导通损耗，就足以让整个系统的效率下降几个百分点。效率损失1%，对于一个350kW级别的电源系统而言，就是3.5kW的纯浪费——这不仅是电费问题，更是散热设计和运营成本的连锁压力。　　更关键的是，低压大电流路径的损耗并非线性增长。以48V架构为例，当机架功率达到600kW时，理论电流将超过12,500A。即使假设铜排总电阻仅为1毫欧，传输损耗也将高达156kW，占总功率的26%。这已经不是在“省电”，而是在“堵漏”。　　问题的根源在哪里?　　在一套完整的AC-DC或DC-DC电源链路中，功率器件承担着最关键的开关与转换任务。它的导通损耗和开关损耗，直接决定了系统的效率上限。　　传统硅基MOSFET在高电压下存在一个物理极限：击穿电压与导通电阻之间存在正相关关系——要提高耐压，就必须增加漂移区厚度、降低掺杂浓度，而这直接导致导通电阻显著上升。这一矛盾在高压、高频场景下被进一步放大：开关损耗随频率上升，而为了维持效率被迫降低开关频率，又会导致变压器和电感体积增大。在寸土寸金的服务器机柜里，这几乎是不可接受的。　　破局思路：从器件层面找回效率　　第三代半导体碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)，正是针对这类场景的破局关键。SiC材料具有宽禁带、高临界击穿场强和高热导率等优势，在650V及以上高压场景中，可以用更薄的漂移区实现更低的导通电阻，同时支持更高开关频率和更高工作结温;GaN HEMT则基于AlGaN/GaN异质结形成高迁移率二维电子气，具备极低的栅极电荷、输出电容和反向恢复电荷，特别适合600V至650V及中低压高频高效场景。二者结合，可在PFC、DC-DC、同步整流等环节显著降低导通损耗与开关损耗。　　在服务器电源、通讯电源等能源电源应用中，SiC MOSFET与GaN HEMT的低导通损耗、低开关损耗和优异高频特性，能够帮助设计者在有限空间内实现更高的功率密度。　　以安森德半导体的第三代半导体产品线为例，目前已有成熟产品落地：　　SiC MOSFET 系列：　　以 ASC360N65Q1H (N MOS) 为代表，采用Trench工艺，耐压达650V，内阻低至360mΩ。该器件具有高开启电压(抗干扰能力强)、开关速度快的特点。配合DFN5*6封装，散热性能好，应用稳定，非常适用于开关电源、高压DC-DC驱动以及快速开关场景，具备高功率密度、输出线性好和能效高等优势。　　GaN MOSFET 系列：　　以ASDM15GN65TE / ASDM23GN65P 为代表，耐压650V，内阻低至100mΩ。该系列具备高频高效、高耐压、耐高温、高可靠性的特点，能实现节能降耗、小体积、低重量和高功率密度。其应用领域覆盖氮化镓锂电池充电器、PD快充及大功率适配器，非常适合作为AI服务器电源系统的高密度辅助电源或高效供电模块。　　AI算力的竞赛不会停步。从行业趋势来看，供电架构正在从传统的12V/48V母线向50V乃至800V高压直流演进，机架功率的每一次跃升，都在把电源设计推向新的边界。设计者需要更“聪明”的器件来跟上节奏。　　如果你正在为高功率密度电源的效率和散热问题头疼，欢迎关注安森德半导体公众号，我们将为您提供更加优质的解决方案。

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发布时间：2026-09-24 11:28 阅读量：291 继续阅读>>

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安森德丨浅谈SiC MOSFET驱动设计的选择

　　对于不少电源工程师而言，SiC MOSFET往往与负压关断绑定使用，但从实际拓扑来看，负压并非所有SiC应用的必选项。　　一、负压关断主要解决什么问题?　　SiC MOSFET 的开关速度远快于传统硅 MOSFET，其漏源电压变化率可达 50~100 V/ns。快速开关虽然有利于降低开关损耗，但也使器件更容易受到寄生参数和驱动回路的影响。　　在半桥等桥臂拓扑中，当高边 MOSFET 快速开通时，低边 MOSFET 的 VDS 会急剧变化。由此产生的高 dv/dt 会经由低边器件的栅漏电容 Cgd，也就是米勒电容，耦合到栅极，并注入位移电流。　　如果驱动回路抑制干扰的能力不足，这股位移电流就可能在栅极形成瞬态 VGS 尖峰，使原本处于关断状态的 MOSFET 被抬升到阈值电压以上。SiC MOSFET 的阈值电压通常约为 2.7~4 V，一旦发生误开通，上下桥臂便会同时导通，进而可能造成直通短路。　　从图中可以看到，高边Q1高速开通时，低边Q2承受快速变化的VDS，Cgd产生的位移电流会流入栅极，并形成瞬态VGS尖峰。　　米勒串扰的形成通常包含三个关键条件：高dv/dt、Cgd耦合通道，以及另一只处于关断状态的互补开关管。其中前两项来自器件自身特性，而是否存在互补开关，则由具体拓扑决定。　　这也意味着，判断SiC MOSFET是否需要负压关断，不能只看器件本身，更要看它工作在什么拓扑中。　　二、单管拓扑为何可以采用0V关断?　　反激是消费类适配器、辅助电源等场景中非常典型的单管拓扑，初级功率回路只有一只主开关MOSFET，不存在另一只与其构成互补关系的高速功率管。　　在MOSFET关断过程中，其漏极电压同样会快速上升，dv/dt也会通过自身Cgd影响栅极。但这种作用属于器件自身的电容耦合，不存在桥臂结构中“一只MOSFET开通，干扰另一只MOSFET”的跨器件路径。　　因此，从米勒串扰和桥臂直通这一角度来看，反激拓扑并不依赖负压关断，可以采用0V关断方案。相比负压关断，其主要代价是关断速度有所降低，并带来一定的额外关断损耗。　　三、正激、Buck同样不存在互补开关串扰　　相同的判断逻辑也适用于单管正激和传统Buck拓扑。　　单管正激通过一只主开关管控制变压器初级能量传递，并没有半桥、全桥结构中的高速互补开关，因此不存在另一只功率MOSFET受到米勒耦合后发生误导通的问题。　　Buck拓扑则由主动开关、续流器件以及储能电感组成，基本功率级同样只有一只主动开关。　　对于这类拓扑，开关节点的dv/dt主要作用于器件自身，不会形成桥臂拓扑中的跨器件串扰路径，因此从抗米勒误导通的需求来看，可以采用0V关断，无需额外增加负压生成电路。　　四、普通Boost及传统Boost PFC与图腾柱PFC要区别看待　　PFC是另一个容易产生误解的应用。　　普通Boost/传统Boost PFC由一只主动MOSFET、升压电感以及续流二极管构成，本质上仍属于单管升压结构。　　普通 Boost 与传统 Boost PFC 中，承担主动开关作用的通常只有一只 MOSFET，并没有另一只高速互补功率管参与桥臂交替工作，因此它们的驱动判断思路与反激、Buck 较为接近：采用 0V 关断通常就能满足需求，也无需再为负压驱动额外增加电路。图腾柱 PFC 则不能按这一逻辑处理。它为降低整流损耗，高频桥臂一般由两只功率 MOSFET 构成，已经属于典型的桥式功率级。当其中一只器件快速开关时，另一只关断管会承受较高的 dv/dt，并可能通过 Cgd 耦合到栅极，进而出现米勒串扰，严重时甚至误导通。因此，图腾柱 PFC 更应重视负压关断，以提升关断期间的抗干扰余量。换言之，“PFC 一定要用负压”这种说法并不准确，驱动方案最终仍要由具体电路结构来决定。　　五、两只开关管，也不一定属于桥臂结构　　判断是否需要负压关断，也不能简单按照开关管数量进行划分。　　以双管正激为例，虽然初级侧使用两只MOSFET，但两只器件采用同时开通、同时关断的工作方式，并不是半桥、全桥中交替工作的互补开关关系。　　因此，双管正激并不存在典型的“一侧高速开通，导致另一侧关断器件受到米勒串扰”的工作条件，也不存在传统桥臂结构中的上下管互补直通路径。　　双管反激同样属于类似情况，两只功率器件采用同开同关方式，因此从米勒串扰角度来看，也可以采用0V关断。　　安森德半导体(ASDsemi)，以呼应市场应用需求特研发推出以下SiC MOSFET，以满足客户灵活设计参数要求。　　SiC MOSFET是否采用负压关断，并没有放之四海而皆准的结论。负压关断的关键作用之一，是应对桥式拓扑中高 dv/dt 通过 Cgd 耦合到栅极后造成的米勒串扰与误开通。因此，半桥、全桥、图腾柱 PFC 等带有高速互补开关的功率级，借助负压关断可以提升关断状态下的抗干扰能力。相反，反激、单管正激、Buck、普通 Boost、传统 Boost PFC，以及部分同开同关的双管拓扑，并不存在这种跨器件的串扰通路，因此可在效率、成本、PCB 面积和驱动复杂度之间权衡，选择 0V 或负压关断。对电源工程师而言，SiC MOSFET 驱动设计的核心不是套用“SiC 必须负压”的既有经验，而是依据器件参数、拓扑结构和开关时序进行判断;在保障可靠性的前提下减少不必要的外围电路，也是 SiC 器件迈向高集成、高功率密度应用的重要方向。　　安森德MOS产品依托自研工艺，可以定制各类高效MOSFET，提供系统级解决方案，助力品牌快充实现丝滑迭代、高良率大规模量产。例如：在45W~240W的主流快充中，我们推荐以下型号的同步整流MOS，支持电源产品做紧凑PCB布局，帮助您通过高频工况EMI，打造高可靠、低Ciss、成本友好的的同步整流电路，单颗覆盖功率范围广，可减少物料种类。

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发布时间：2026-09-20 10:39 阅读量：286 继续阅读>>

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国产首家！纳芯微LIN收发器NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，全栈CAN/LIN方案简化车载通信设计

　　近日，纳芯微宣布其推出的汽车级LIN收发器芯片NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1成为国产首家全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证的LIN收发器芯片。　　在此之前，纳芯微CAN收发器芯片 NCA1044-Q1、NCA1057-Q1、NCA1145B-Q1、NCA1462-Q1、NCA1043D-Q1、NCA1463-Q1已率先通过IBEE/FTZ-Zwickau全项测试。LIN收发器顺利通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，标志着纳芯微全国产化汽车级CAN/LIN接口解决方案的EMC性能达到行业领先水平，助力车企与零部件客户简化车载总线EMC系统性认证流程，加速国产替代落地。　　全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证的　　CAN/LIN收发器系列，简化EMC验证　　鉴于CAN/LIN收发器芯片的EMC性能对车身控制、智能座舱等系统的稳定运行至关重要，各地区均制定了严格的汽车电子电磁兼容标准与认证流程，如美国汽车工程师协会(SAE)的J2962标准和欧洲IBEE/FTZ-Zwickau认证均对汽车通信接口的EMC性能提出了明确要求。其中，IBEE/FTZ-Zwickau认证依据IEC 62228-2开展，排除了外围电路差异对结果的干扰，更聚焦于收发器芯片本身的EMC特性，且考核等级更为严苛，已获全球主流车企广泛认可。　　此次IBEE/FTZ-Zwickau认证包括：发射射频干扰(Emission RF Disturbances), 抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)，瞬态抗扰度(Immunity Transients)和抗静电(Immunity ESD)共四项测试，纳芯微NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全部通过。　　表-1：纳芯微NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全部通过四项测试　　在此次 IBEE/FTZ-Zwickau 认证中，NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1的抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)能力表现优异。测试覆盖正常通信、休眠唤醒等关键工作状态及误唤醒防护维度，即便在无总线滤波电容的最恶劣条件下，所有测试项均一次性通过测试，达到IEC 62228-2标准的最高Class III等级。尤其在休眠状态下，芯片不会因外界电磁干扰发生异常唤醒，可有效保障整车静态电流合规。　　表-2：纳芯微NCA1021A-Q1 RF Immunity测试全项结果　　达到Class III等级　　表-3：纳芯微NCA1029A-Q1 RF Immunity测试全项结果　　达到Class III等级　　全国产化的汽车级CAN/LIN接口解决方案　　增强供应链韧性和选型便利性　　NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，标志着纳芯微由此成为国产首家可同时提供经权威认证、EMC性能领先的、全国产化的汽车级CAN/LIN收发器厂商，有效增强了供应链的韧性与客户选型便利性。　　目前纳芯微可提供完整的汽车级CAN/LIN收发器产品，覆盖客户的全场景需求：　　表-4：CAN收发器选型表　　表-5：LIN收发器选型表　　平台化接口IP　　快速响应定制开发需求　　纳芯微在通信接口领域布局已久，通过平台化IP和自研专利的协同，实现了快速的产品迭代，并且在CAN、LIN、RS485、I2C、I3C、SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面，纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破，达到业内领先的水平。　　在技术迭代的同时，纳芯微全面落地全国产供应链体系，打通晶圆制造、封装测试、核心物料配套的全链路国产化。目前，纳芯微车载CAN/LIN/SerDes等汽车通信接口芯片，均已实现全国产供应链落地，精准匹配新能源汽车等领域的国产化替代需求。高度自主可控的本土供应链，不仅大幅提升了产品交付稳定性与成本可控性，还能快速响应客户定制开发与批量供货需求，为终端客户提供安全可靠、高适配的国产化接口芯片解决方案。

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发布时间：2026-09-16 13:52 阅读量：311 继续阅读>>

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纳芯微亮相2026 DVN上海汽车照明研讨会，荣获“高可靠性照明控制IC解决方案奖”

　　9月8日至9日，第41届DVN上海汽车照明研讨会在上海举行。纳芯微携车内外照明一站式芯片方案亮相展区，覆盖前灯、尾灯与座舱照明等关键应用。值得一提的是，多RGB氛围灯驱动芯片NSUC1527与前灯驱动芯片Pre-Boost恒压控制器NSL31682及Buck LED驱动NSL31520在9月8日晚举行的“DVN上海创新之夜”颁奖典礼上荣获“高可靠性照明控制IC解决方案奖”。会议期间，纳芯微技术工程师周陈旺发表主题演讲，分享了软件定义汽车趋势下的动态氛围灯与整车OTA创新方案。　　01　　车内外照明一站式芯片方案　　集中亮相　　在外饰照明方向，纳芯微展示了覆盖1/3/6/12/16/24通道的车规级线性LED驱动芯片，广泛应用于传统尾灯、贯穿式动态尾灯及发光格栅等场景。此外，针对前灯应用，纳芯微展出了Pre-Boost恒压控制器 NSL31682、Buck LED驱动器 NSL31520 及LED矩阵管理器 NSL31664/5 三大新品，助力前照灯两级架构的三大核心环节：前级升压、恒流驱动与矩阵控制，持续推进照明系统应用创新。　　在内饰照明方向，纳芯微展示了单RGB氛围灯驱动芯片NSUC1500与多RGB氛围灯驱动芯片NSUC1527，覆盖单点光源和多区域面光源的应用需求。同时，车载屏幕背光驱动NSL6103/4也为智能座舱的光效设计提供了灵活、高集成度的选择。　　02　　双引擎产品荣获　　高可靠性照明控制IC解决方案奖　　在9月8日晚的“DVN上海创新之夜”颁奖典礼上，纳芯微以多RGB氛围灯驱动芯片NSUC1527与前灯驱动芯片Pre-Boost恒压控制器NSL31682及Buck LED驱动NSL31520，荣获“高可靠性照明控制IC解决方案奖”。　　NSUC1527单芯片集成27路高精度LED驱动器与控制内核，支持CAN FD与LIN通信，并具备基于LED正向电压测量的温度与老化补偿能力，使座舱氛围灯在长期使用中保持稳定的色彩表现;其高集成度设计可帮助主机厂省去LCM(灯光控制模块)，显著降低氛围灯系统成本，为多区域、高像素的氛围灯系统提供更简洁的实现路径。目前，该芯片已在多家主机厂开展台架测试。　　NSL31682 与 NSL31520 则面向汽车前照灯系统，构成从前级升压供电到后级恒流驱动的完整 LED 电源解决方案。两款产品均支持 SPI 接口及展频功能，并集成丰富的故障诊断与保护机制，同时支持 Limp Home 与 Standalone 模式，可在异常工况及通信故障情况下保障系统稳定运行，以高可靠、高精度的控制能力满足 ADB 等智能前照灯应用需求。　　03　　软件方案让车灯持续进化：　　光效可控，升级可达　　9月9日，纳芯微技术工程师周陈旺在研讨会现场发表主题演讲，围绕软件定义汽车趋势下车载照明电子的创新方向，分享了纳芯微在动态氛围灯解决方案与整车OTA升级方案上的思考与实践。　　随着汽车电子电气架构的持续演进，车灯正在从单一功能部件升级为可持续进化的智能交互载体。纳芯微以芯片级的集成设计与系统级的技术能力，帮助客户简化方案架构、提升光效控制精度，并为车载照明系统的远程升级与全生命周期管理提供支持。　　纳芯微技术工程师周陈旺发表主题演讲

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发布时间：2026-09-10 09:58 阅读量：363 继续阅读>>

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ROHM丨SiC功率器件及模块应用笔记

　　SiC半导体　　· SiC材料的物性和特征　　SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)构成的化合物半导体材料。表1-1列出了各种半导体材料的电气特征，SiC的优点不仅在于其绝缘击穿场强(Breakdown Field)是Si的10倍，带隙(Energy Gap)是Si的3倍，而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的P型、N型控制，所以被认为是一种超越Si极限的用于制造功率器件的材料。SiC存在各种多型体(结晶多系)，它们的物性值也各不相同。最适合于制造功率器件的是4H-SiC，现在4inch～6inch的单晶晶圆已经实现了量产。　　SiC功率器件的特征　　SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，因此与Si器件相比，能够以更高的掺杂浓度并且膜厚更薄的漂移层制作出600V～数千V的高压功率器件。高压功率器件的电阻成分主要由该漂移层的电阻所组成，因此使用SiC材料可以实现单位面积导通电阻非常低的高压器件。　　理论上当耐压相等时，SiC在单位面积下的漂移层电阻可以降低到Si的1/300。对于Si材料来说，为了改善由于器件高压化所带来的导通电阻增大的问题，主要使用例如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅极双极型晶体管)等少数载流子器件(双极型器件)，但是却存在开关损耗较大的问题，其结果是所产生的发热问题限制了IGBT的高频驱动应用。SiC材料能够以具有快速器件结构特征的多数载流子器件(肖特基势垒二极管和MOSFET)实现高压化，因此可以同时实现“高耐压”、“低导通电阻”、“高频”这三个特性。　　另外，SiC的带隙较宽、大约是Si的3倍，因此能够实现在高温条件下也可以稳定工作的功率器件(目前由于受到封装的耐热可靠性的制约，只保证到150℃～175℃，但是随着封装技术的发展，将来也可能达到200℃以上的保证温度)。　　SiC SBD的特征　　· 器件结构和特征　　SiC能够以具有快速器件结构特征的肖特基势垒二极管(SBD)结构，制作出1200V以上的高耐压二极管(Si SBD的最高耐压为200V左右)。　　因此，如图2-1所示，通过将现在主流使用的快速PN结二极管(FRD：快速恢复二极管)替换为SiC SBD，能够大幅减小反向恢复损耗。有助于实现电源的高效化，并且通过高频驱动实现电感等被动器件的小型化，同时降低噪声水平。以功率因数校正电路(PFC电路)和二次侧整流电路为中心，目前广泛应用于电动汽车充电器、光伏发电系统中的功率调节器、服务器电源、空调等多个领域。　　目前，ROHM SiC SBD的主要产品线包括650V、1200V、1700V耐压的产品。

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发布时间：2026-09-09 13:17 阅读量：702 继续阅读>>

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芯模共生，生态共建：昆仑芯联合FlagOS实现MiniCPM5-2B模型Day 0部署

　　近日，面壁智能联合OpenBMB正式开源新一代端侧模型「小钢炮」MiniCPM5-2B。作为面向端侧场景打造的新一代小尺寸模型，该模型原生支持混合思考、512K超长上下文，并具备工具调用、深度搜索、代码生成等智能体能力，可进一步拓展至手机、PC、智能座舱等多元端侧设备。　　模型开源后，昆仑芯联合FlagOS，率先完成MiniCPM5-2B的Day 0适配与推理验证。　　此次适配展现了昆仑芯面向前沿开源模型的快速响应能力。依托持续完善的软硬件协同体系，昆仑芯能够紧跟主流模型迭代，并通过与FlagOS的生态协同，进一步提升模型适配效率，缩短新模型从开源发布到国产算力平台可用的时间。　　开源即适配，昆仑芯联合FlagOS实现模型高效部署　　大模型快速迭代的今天，从“模型发布”到“算力可用”的时间窗口正在不断缩短。对于开发者而言，新模型发布后能否快速完成不同算力平台上的适配、部署与性能验证，已经成为衡量算力生态响应能力的重要指标。此次MiniCPM5-2B开源后，昆仑芯联合FlagOS快速完成模型的适配与推理验证，实现了开源即适配、开源即部署。在适配过程中，昆仑芯围绕模型运行涉及的算子、推理框架及运行环境开展逐一验证与优化，依托持续完善的软件体系和软硬件协同能力，推动模型在快速在昆仑芯平台实现稳定运行。与此同时，FlagOS通过统一算子库、编译器及推理插件等软件能力，为模型适配提供统一的软件支撑，进一步降低前沿模型跨芯片适配的复杂度。基于统一多芯片软件栈，此次MiniCPM5-2B的适配成果还可通过FlagRelease发布多芯片模型版本，进一步提升适配成果的复用效率。　　软硬协同，昆仑芯持续提升适配效率　　大模型适配并非简单地让模型“跑起来”。由于不同AI芯片在计算架构、算子支持、编译环境和软件栈等方面存在差异，新模型要实现稳定、高效运行，需要进行多层次的适配与优化。　　对于昆仑芯而言，持续完善软硬件协同能力，提升模型适配与优化效率，是推动前沿模型快速落地的重要基础。　　这一适配能力的背后，是昆仑芯长期积累并持续完善的自研软件体系。围绕开发者需求，昆仑芯构建了覆盖底层驱动、开发工具、SDK及专业算子库等核心环节的自研软件栈，为模型迁移、部署与运行提供完善的软件支撑。依托持续演进的软件能力，开发者能够以更低的适配成本和更高的部署效率，将前沿模型快速应用于实际场景。　　此次MiniCPM5-2B适配过程中，昆仑芯依托自身软件体系和推理能力完成模型适配与验证，并联合FlagOS进一步提升适配成果的复用效率，为模型在国产AI芯片平台上的快速部署提供支持。　　从单个模型的Day 0快速响应，到持续拓展主流模型生态，昆仑芯正不断拓展对前沿模型的兼容与支持能力，持续缩短模型从开源发布到国产算力平台落地的时间，让更多前沿模型能够更加高效地运行在国产算力平台之上。　　深化生态协同，共建繁荣模型生态　　随着大模型加速迭代，模型生态与算力生态之间的协同效率愈发重要。对于国产算力而言，除了具备稳定的硬件性能，还需要持续提升对主流模型的兼容与适配能力，才能更好承接前沿模型的发展。　　昆仑芯正持续跟进主流开源模型迭代，不断提升模型适配与优化效率，当前已完成智谱GLM系列、Qwen系列、MiniMax、Kimi等多款主流模型的适配，持续拓展对主流模型生态的支持范围。　　在不断提升自身适配能力的同时，昆仑芯也积极参与众智FlagOS社区等开源生态建设，通过与生态伙伴开展联合适配，推动模型适配成果进一步复用和共享，扩大国产算力对主流模型生态的支持范围。　　未来，昆仑芯将持续提升前沿模型的适配与优化能力，深化模型、软件与芯片之间的协同，与生态伙伴共同推动更多前沿模型快速落地国产算力平台，助力构建更加开放、繁荣的国产AI生态。

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发布时间：2026-09-09 10:19 阅读量：331 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

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